3、扬州缺陷、扬州掺杂和合金化以及异质结构对2D材料的影响3.1、缺陷里程碑：（1）整合多模态、实验和计算特征以理解2D材料中的缺陷及其对中尺度传输的影响。

同时2D材料的大规模制造尚处于起步阶段，至镇所以2D材料的发展还需要识别关键技术的影响因素。此外，江土江作者还讨论了如何实现电子级2D材料的合成与控制层数工程。

伏直（2）受控掺杂量1010掺杂剂/cm2用于调节n型和p型半导体层。但是目前大多数生物传感器都主要是2D材料中石墨烯家族以及修饰后的MoS2和WS2，流输对其他2D材料尚未得到探索。电工（b）金属-有机CVD示意图和基质上WSe2的单层和双层的相应AFM图像。

近几十年来为了尽可能的利用太阳能，程进在半导体领域出现一些最具吸引力的应用都集中在收集太阳能以发电或发生光电化学方面。图二、行长展示了未来几十年美国和世界光伏发电能力的变化。

要想大规模的2D层合成和工程技术的进步则必须在晶圆尺度上实现剥落质量的2D层，施工但是要在晶圆尺度上得到2D层还存在重大挑战。

通常利用同位素修饰来实现这种掺杂，扬州因为同位素代表一定程度的自由度，可用于调整手头材料的物理性质，同时保留几乎相同的化学行为。选择单一蛋白质来源的好处为，至镇当猫咪对食物有不适应的状况时，可以较容易进行蛋白质更换及选择。

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